从集成电路的工艺流程可以看出，集成电路设备通常可以分为前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备包括晶圆制造设备和晶圆加工设备，后道工艺设备是指封装检测设备。其中晶圆制造过程工艺复杂，工序多样，相关设备的价值占比最高，占总资本支出的50%以上。

单晶硅片的生产流程：拉晶---滚磨---线切割---倒角---研磨---腐蚀---热处理---边缘抛光---正面抛光---清洗---检测---外延等步骤，其中拉晶、研磨和抛光是保证半导体硅片质量的关键。涉及到的主要设备有还原炉、单晶炉、滚磨机、切片机、倒角机、研磨设备、CMP抛光设备、清洗设备、检测设备等多种生产设备。大部分设备已实现国产化。

1、还原（涉及的设备：还原炉）

将生产原料石英砂（SiO2）与碳发生氧化还原反应生产工业级硅，再与盐酸反应，生产三氯硅烷，进行多次精馏提高纯度，最后再与高纯氢气反应得到高纯多晶硅，纯度达到9-11个9。这个过程使用的设备是CVD还原炉。

2、长晶（涉及的设备：单晶炉）

在惰性气体（氦气、氮气为主）环境中，用石墨加热器将坩埚中的多金贵熔化成液态硅，再用单晶硅的硅种接触液态硅表面，边旋转边缓慢向上拉起，熔体上的液体因表面张力而提高，散发热量向下凝固，随着晶种旋转从熔体中拉出，与晶种具有同样晶向的单晶就生产出来了。这个过程涉及到的设备是单晶炉。

3、滚磨（涉及的设备：滚磨机）

单晶硅棒生产完成后，首先要对晶棒进行“掐头去尾”，切去晶棒两端直径较小的部分。然后对晶棒进行径向研磨，由于晶棒在生长过程中难以实现精确的直径要求，一般会生长直径高于预定目标，通过径向研磨得到目标直径的晶棒。这个过程涉及的设备有截断机、滚磨机、磨面机等。

4、切片（涉及的设备：切片机）

通过一根附着切割刃的钢丝高速运动，对硅棒进行摩擦。整个过程钢丝通过十几个导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，将硅棒一次同时切割为数百片薄片，效率高、产能高、精度高等。多线切割机已逐步取代传统的内圆切割，是硅片切割的主要方式。

这个过程涉及的设备是切片机。

5、倒角（涉及的设备：倒角机）

硅棒切割研磨后的硅片边缘一般会存在裂痕和细小的裂缝，会在硅片上产生机械应力，在热处理过程中会引起边缘位错生产，因此要对硅片锐利的边缘进行倒角，磨削休整获得平滑的外缘。这个过程主要涉及的设备是倒角机。

6、抛光（涉及的设备：抛光机）

抛光是硅片的最终加工工序，对硅片更精细的研磨，得到完全光滑的平面。使用机械化学抛光法加工硅片表面，第一次抛光，借助于磨粒与抛光布的机械作用，在SiO2悬浮液中添加NaOH、KOH等碱性添加剂，破坏硅片表面的水合膜进行高效抛光，抛光布是用漫透聚氨基甲酸乙酯的无纺布；二次抛光是精抛光，添加碱或氨的抛光液，用发泡聚氨基甲酸乙酯人造革不断去除水合膜来进行无损伤抛光。这个过程涉及的设备是抛光机。